Transistor bipolare KTD998-R
Caratteristiche elettriche del transistor KTD998-R
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 120 V
- Tensione massima collettore-base: 120 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 10 A
- Dissipazione di potenza: 80 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 55 a 110
- Frequenza di transizione: 10 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3P
- Electrically Similar to the Popular 2SD998-R transistor
Piedinatura del KTD998-R
Sostituzione ed equivalenti per il transistor KTD998-R
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