Transistor bipolare KTD1047B-O
Caratteristiche elettriche del transistor KTD1047B-O
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 140 V
- Tensione massima collettore-base: 160 V
- Tensione massima emettitore-base: 6 V
- Corrente di collettore continua: 12 A
- Dissipazione di potenza: 100 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 120
- Frequenza di transizione: 15 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3P
- Electrically Similar to the Popular 2SD1047-D transistor
Piedinatura del KTD1047B-O
Sostituzione ed equivalenti per il transistor KTD1047B-O
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