Transistor bipolare KTB817B

Caratteristiche elettriche del transistor KTB817B

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -140 V
  • Tensione massima collettore-base: -160 V
  • Tensione massima emettitore-base: -6 V
  • Corrente di collettore continua: -12 A
  • Dissipazione di potenza: 100 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 200
  • Frequenza di transizione: 15 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3P
  • Electrically Similar to the Popular 2SB817 transistor

Piedinatura del KTB817B

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor KTB817B

È possibile sostituire il KTB817B con i transistor 2SB1162, 2SB1163, 2SB817, KTB817, MJW1302A o MJW1302AG.
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