Transistor bipolare KTB1367O
Caratteristiche elettriche del transistor KTB1367O
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -100 V
- Tensione massima collettore-base: -100 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -5 A
- Dissipazione di potenza: 30 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 70 a 140
- Frequenza di transizione: 5 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220F
- Electrically Similar to the Popular 2SB1367-O transistor
Piedinatura del KTB1367O
Sostituzione ed equivalenti per il transistor KTB1367O
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