Transistor bipolare KSD882-O
Caratteristiche elettriche del transistor KSD882-O
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 30 V
- Tensione massima collettore-base: 40 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 3 A
- Dissipazione di potenza: 10 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 100 a 200
- Frequenza di transizione: 90 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SD882O transistor
Piedinatura del KSD882-O
Sostituzione ed equivalenti per il transistor KSD882-O
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