Caratteristiche elettriche del transistor KSD261CG
Tipo di transistor: NPN
Tensione massima collettore-emettitore: 20 V
Tensione massima collettore-base: 40 V
Tensione massima emettitore-base: 5 V
Corrente di collettore continua: 0.5 A
Dissipazione di potenza: 0.5 W
Guadagno di corrente CC (hfe): da 200 a 400
Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
Tipo di pacchetto: TO-92
Piedinatura del KSD261CG
Il KSD261CG è prodotto in un contenitore TO-92 di plastica. Osservando il lato piatto con i conduttori rivolti verso il basso, i tre conduttori che emergono dal transistor sono, da sinistra a destra, l'emettitore, il collettore e la base. Il suffisso "C" indica il collettore centrale del KSD261G. Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.
Sostituzione ed equivalenti per il transistor KSD261CG