Transistor bipolare KSD2012-G
Caratteristiche elettriche del transistor KSD2012-G
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 60 V
- Tensione massima collettore-base: 60 V
- Tensione massima emettitore-base: 7 V
- Corrente di collettore continua: 3 A
- Dissipazione di potenza: 25 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 150 a 320
- Frequenza di transizione: 3 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220F
Piedinatura del KSD2012-G
Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.
Sostituzione ed equivalenti per il transistor KSD2012-G
È possibile sostituire il KSD2012-G con i transistor
2SC1826,
2SC1985,
2SC1986,
2SC2075,
2SC3179,
2SC3851,
2SC3851A,
2SC4007,
2SC4008,
2SC4550,
2SC4551,
2SC4552,
2SD1134,
2SD1266,
2SD1266A,
2SD1274,
2SD1274A,
2SD1274B,
2SD1761,
2SD2012,
2SD2061,
2SD2394,
2SD313,
2SD613,
2SD823,
BD203,
BD241A,
BD241B,
BD241C,
BD243A,
BD243B,
BD243C,
BD303,
BD535,
BD537,
BD539A,
BD539B,
BD539C,
BD539D,
BD543A,
BD543B,
BD543C,
BD545A,
BD545B,
BD545C,
BD797,
BD799,
BD801,
BD807,
BD809,
BD949,
BD951,
BD953,
BD955,
BDT81,
BDT81F,
BDT83,
BDT83F,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDX77,
D44H11,
D44H11FP,
D44H8,
MJE15028,
MJE15028G,
TIP41D o
TIP42D.
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