Transistor bipolare KSD1616A-G

Caratteristiche elettriche del transistor KSD1616A-G

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 60 V
  • Tensione massima collettore-base: 120 V
  • Tensione massima emettitore-base: 6 V
  • Corrente di collettore continua: 1 A
  • Dissipazione di potenza: 0.75 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 200 a 400
  • Frequenza di transizione: 160 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1616A-K transistor

Piedinatura del KSD1616A-G

Il KSD1616A-G è prodotto in un contenitore TO-92 di plastica. Osservando il lato piatto con i conduttori rivolti verso il basso, i tre conduttori che emergono dal transistor sono, da sinistra a destra, l'emettitore, il collettore e la base.
Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Transistor KSD1616A-G in pacchetto TO-92

Il 2SD1616A-K è la versione TO-92 del transistor KSD1616A-G.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor KSD1616A-G

È possibile sostituire il KSD1616A-G con i transistor 2SC6043, 2SD1616A o 2SD1616A-K.
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