Transistor bipolare KSD1020-G
Caratteristiche elettriche del transistor KSD1020-G
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 25 V
- Tensione massima collettore-base: 30 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 0.7 A
- Dissipazione di potenza: 0.35 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 200 a 400
- Frequenza di transizione: 170 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-92S
Piedinatura del KSD1020-G
Sostituzione ed equivalenti per il transistor KSD1020-G
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