Transistor bipolare KSB1366-G
Caratteristiche elettriche del transistor KSB1366-G
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -60 V
- Tensione massima collettore-base: -60 V
- Tensione massima emettitore-base: -7 V
- Corrente di collettore continua: -3 A
- Dissipazione di potenza: 25 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 150 a 320
- Frequenza di transizione: 9 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220F
Piedinatura del KSB1366-G
Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.
Sostituzione ed equivalenti per il transistor KSB1366-G
È possibile sostituire il KSB1366-G con i transistor
2SA1262,
2SA1488,
2SA1488A,
2SA1634,
2SA1635,
2SA1742,
2SA1743,
2SA1744,
2SA770,
2SA771,
2SB1187,
2SB1375,
2SB1565,
2SB507,
2SB633,
2SB858,
BD204,
BD242A,
BD242B,
BD242C,
BD244A,
BD244B,
BD244C,
BD304,
BD536,
BD538,
BD540A,
BD540B,
BD540C,
BD544A,
BD544B,
BD544C,
BD546A,
BD546B,
BD546C,
BD798,
BD800,
BD802,
BD808,
BD810,
BD950,
BD952,
BD954,
BD956,
BDT82,
BDT82F,
BDT84,
BDT84F,
BDT86,
BDT86F,
BDT88,
BDT88F,
BDX78,
D44C10,
D44C11,
D44C12,
D44C7,
D44C8,
D44C9,
D45C10,
D45C11,
D45C12,
D45C7,
D45C8,
D45C9,
D45H11,
D45H11FP,
D45H8,
MJE15029 o
MJE15029G.
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