Transistor bipolare KSB1149-G

Caratteristiche elettriche del transistor KSB1149-G

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -100 V
  • Tensione massima collettore-base: -100 V
  • Tensione massima emettitore-base: -8 V
  • Corrente di collettore continua: -3 A
  • Dissipazione di potenza: 15 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 6000 a 20000
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1149-K transistor

Piedinatura del KSB1149-G

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor KSB1149-G

È possibile sostituire il KSB1149-G con i transistor BD682, BD682G o MJE254.
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