Transistor bipolare KSB1116S-L

Caratteristiche elettriche del transistor KSB1116S-L

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -50 V
  • Tensione massima collettore-base: -60 V
  • Tensione massima emettitore-base: -6 V
  • Corrente di collettore continua: -1 A
  • Dissipazione di potenza: 0.75 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 300 a 600
  • Frequenza di transizione: 120 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-92

Piedinatura del KSB1116S-L

Il KSB1116S-L è prodotto in un contenitore TO-92 di plastica. Osservando il lato piatto con i conduttori rivolti verso il basso, i tre conduttori che emergono dal transistor sono, da sinistra a destra, l'emettitore, il collettore e la base.
Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor KSB1116S-L

È possibile sostituire il KSB1116S-L con i transistor 2SB1116, 2SB1116-U, 2SB1116A-U, KSB1116 o KSB1116-L.
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