Transistor bipolare KSB1116A

Caratteristiche elettriche del transistor KSB1116A

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -60 V
  • Tensione massima collettore-base: -80 V
  • Tensione massima emettitore-base: -6 V
  • Corrente di collettore continua: -1 A
  • Dissipazione di potenza: 0.75 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 135 a 400
  • Frequenza di transizione: 120 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1116A transistor

Piedinatura del KSB1116A

Il KSB1116A è prodotto in un contenitore TO-92 di plastica. Osservando il lato piatto con i conduttori rivolti verso il basso, i tre conduttori che emergono dal transistor sono, da sinistra a destra, l'emettitore, il collettore e la base.
Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Transistor KSB1116A in pacchetto TO-92

Il 2SB1116A è la versione TO-92 del transistor KSB1116A.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor KSB1116A

È possibile sostituire il KSB1116A con i transistor 2SB1116A.
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