Transistor bipolare HSD1609-B
Caratteristiche elettriche del transistor HSD1609-B
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 160 V
- Tensione massima collettore-base: 160 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 0.1 A
- Dissipazione di potenza: 1.25 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 120
- Frequenza di transizione: 145 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -50 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SD1609-B transistor
Piedinatura del HSD1609-B
Sostituzione ed equivalenti per il transistor HSD1609-B
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