Transistor bipolare HSB1109S-C

Caratteristiche elettriche del transistor HSB1109S-C

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -160 V
  • Tensione massima collettore-base: -160 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -0.1 A
  • Dissipazione di potenza: 0.9 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 100 a 200
  • Frequenza di transizione: 140 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -50 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1109-C transistor

Piedinatura del HSB1109S-C

Il HSB1109S-C è prodotto in un contenitore TO-92 di plastica. Osservando il lato piatto con i conduttori rivolti verso il basso, i tre conduttori che emergono dal transistor sono, da sinistra a destra, l'emettitore, il collettore e la base.
Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor HSB1109S-C

È possibile sostituire il HSB1109S-C con i transistor 2SA1013, 2SA1013O, 2SA1275, 2SA1275-O, 2SA1319, 2SA1319-R, 2SA1370, 2SA1370-E, 2SA1371, 2SA1371-E, 2SA1624, 2SA1624-E, KSA1013, KSA1013O, KTA1275, KTA1275O o KTA1279.
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