Transistor bipolare HSB1109-C
Caratteristiche elettriche del transistor HSB1109-C
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -160 V
- Tensione massima collettore-base: -160 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -0.1 A
- Dissipazione di potenza: 1.25 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 100 a 200
- Frequenza di transizione: 140 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -50 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SB1109-C transistor
Piedinatura del HSB1109-C
Sostituzione ed equivalenti per il transistor HSB1109-C
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