Transistor bipolare FJPF5027-N
Caratteristiche elettriche del transistor FJPF5027-N
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 800 V
- Tensione massima collettore-base: 1100 V
- Tensione massima emettitore-base: 7 V
- Corrente di collettore continua: 3 A
- Dissipazione di potenza: 40 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 10 a 20
- Frequenza di transizione: 15 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220F
- Electrically Similar to the Popular KSC5027-N transistor
Piedinatura del FJPF5027-N
Sostituzione ed equivalenti per il transistor FJPF5027-N
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