Transistor bipolare FJP5200R

Caratteristiche elettriche del transistor FJP5200R

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 250 V
  • Tensione massima collettore-base: 250 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 17 A
  • Dissipazione di potenza: 80 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 55 a 100
  • Frequenza di transizione: 30 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220

Piedinatura del FJP5200R

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor FJP5200R

È possibile sostituire il FJP5200R con i transistor FJPF5200 o FJPF5200R.
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