Transistor bipolare BSP52T3G
Caratteristiche elettriche del transistor BSP52T3G
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 80 V
- Tensione massima collettore-base: 90 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 1 A
- Dissipazione di potenza: 1.25 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): 1000
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: SOT-223
- BSP52T3G 2m è la versione senza piombo del transistor BSP52T3
Piedinatura del BSP52T3G
Sostituzione ed equivalenti per il transistor BSP52T3G
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