Transistor bipolare BDX63

Caratteristiche elettriche del transistor BDX63

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 60 V
  • Tensione massima collettore-base: 80 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 8 A
  • Dissipazione di potenza: 90 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): 1000
  • Frequenza di transizione: 7 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +200 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3

Piedinatura del BDX63

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDX63

È possibile sostituire il BDX63 con i transistor 2N6384, 2N6385, BDX63A, BDX63B, BDX63C, BDX65, BDX65A, BDX65B, BDX65C, BDX67, BDX67A, BDX67B, BDX67C, BDX69, BDX69A, BDX69B, BDX69C, MJ1000, MJ1001, MJ11012, MJ11012G, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11028, MJ11028G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032, MJ11032G, MJ3000, MJ3001, MJ4033, MJ4034, MJ4035, TIP600, TIP601, TIP602, TIP640, TIP641 o TIP642.
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