Transistor bipolare BDX33B
Caratteristiche elettriche del transistor BDX33B
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 80 V
- Tensione massima collettore-base: 80 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 10 A
- Dissipazione di potenza: 70 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): 750
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220
Piedinatura del BDX33B
Equivalent circuit
![BDX33B equivalent circuit](/images/bipolar-transistor/bdx33b-equivalent-circuit.jpg)
Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDX33B
Versione senza piombo
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