Transistor bipolare BDW63D

Caratteristiche elettriche del transistor BDW63D

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 120 V
  • Tensione massima collettore-base: 120 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 6 A
  • Dissipazione di potenza: 60 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 750 a 20000
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220

Piedinatura del BDW63D

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDW63D

È possibile sostituire il BDW63D con i transistor BD651, BDT87, BDT87F, BDW73D, BDX33D, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E o TIP42F.
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