Transistor bipolare BDW52B
Caratteristiche elettriche del transistor BDW52B
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -80 V
- Tensione massima collettore-base: -80 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -15 A
- Dissipazione di potenza: 125 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 750 a 150
- Frequenza di transizione: 3 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3
Piedinatura del BDW52B
Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDW52B
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