Transistor bipolare BDW51C

Caratteristiche elettriche del transistor BDW51C

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 100 V
  • Tensione massima collettore-base: 100 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 15 A
  • Dissipazione di potenza: 125 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 750 a 150
  • Frequenza di transizione: 3 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3

Piedinatura del BDW51C

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDW51C

È possibile sostituire il BDW51C con i transistor 2N6284, 2N6284G, 2SC1584, 2SC1585, 2SC1586, 2SC2431, 2SC2433, 2SD753, 2SD753-C, BD317, MJ11018, MJ11020, MJ15001, MJ15001G, MJ15003 o MJ15003G.
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