Transistor bipolare BDW51

Caratteristiche elettriche del transistor BDW51

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 45 V
  • Tensione massima collettore-base: 45 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 15 A
  • Dissipazione di potenza: 125 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 20 a 150
  • Frequenza di transizione: 3 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3

Piedinatura del BDW51

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDW51

È possibile sostituire il BDW51 con i transistor 2N6471, 2N6472, KD502 o KD503.
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