Transistor bipolare BDW23B

Caratteristiche elettriche del transistor BDW23B

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 80 V
  • Tensione massima collettore-base: 80 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 6 A
  • Dissipazione di potenza: 50 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 750 a 20000
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220

Piedinatura del BDW23B

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDW23B

È possibile sostituire il BDW23B con i transistor 2SC1986, 2SC2316, 2SD823, BD243B, BD243C, BD537, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD647, BD649, BD651, BD799, BD801, BD809, BD899, BD899A, BD901, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW23C, BDW63B, BDW63C, BDW63D, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, BDX77, D44H11, D44H11FP, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E o TIP42F.
Se si riscontra un errore, si prega di inviare un'e-mail a mail@el-component.com.