Transistor bipolare BDV67C

Caratteristiche elettriche del transistor BDV67C

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 120 V
  • Tensione massima collettore-base: 140 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 16 A
  • Dissipazione di potenza: 200 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): 1000
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3P

Piedinatura del BDV67C

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDV67C

È possibile sostituire il BDV67C con i transistor BDV67D.
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