Transistor bipolare BDV67B
Caratteristiche elettriche del transistor BDV67B
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 100 V
- Tensione massima collettore-base: 120 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 16 A
- Dissipazione di potenza: 200 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): 1000
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3P
Piedinatura del BDV67B
Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDV67B
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