Transistor bipolare BDV66B

Caratteristiche elettriche del transistor BDV66B

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -100 V
  • Tensione massima collettore-base: -120 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -16 A
  • Dissipazione di potenza: 200 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): 1000
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3P

Piedinatura del BDV66B

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDV66B

È possibile sostituire il BDV66B con i transistor BDV66C o BDV66D.
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