Transistor bipolare BDT82

Caratteristiche elettriche del transistor BDT82

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -60 V
  • Tensione massima collettore-base: -60 V
  • Tensione massima emettitore-base: -7 V
  • Corrente di collettore continua: -15 A
  • Dissipazione di potenza: 125 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): 40
  • Frequenza di transizione: 20 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220

Piedinatura del BDT82

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDT82

È possibile sostituire il BDT82 con i transistor 2SA1744, 2SA1744-K, 2SA1744-L, 2SA1744-M, BD546A, BD546B, BD546C, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668 o MJF6668G.
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