Transistor bipolare BDT81F

Caratteristiche elettriche del transistor BDT81F

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 60 V
  • Tensione massima collettore-base: 60 V
  • Tensione massima emettitore-base: 7 V
  • Corrente di collettore continua: 15 A
  • Dissipazione di potenza: 36 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): 40
  • Frequenza di transizione: 10 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220F

Piedinatura del BDT81F

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDT81F

È possibile sostituire il BDT81F con i transistor 2SC4552, 2SC4552-K, 2SC4552-L, 2SC4552-M, BD545A, BD545B, BD545C, BDT81, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 o MJF6388G.
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