Transistor bipolare BDT61B
Caratteristiche elettriche del transistor BDT61B
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 100 V
- Tensione massima collettore-base: 100 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 4 A
- Dissipazione di potenza: 50 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): 750
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220
Piedinatura del BDT61B
Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.
Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDT61B
È possibile sostituire il BDT61B con i transistor
2N6045,
2N6045G,
2N6532,
2SD1195,
2SD1196,
2SD1415,
2SD1415A,
2SD1829,
2SD1830,
2SD1892,
2SD1892-P,
2SD1892-Q,
2SD2241,
2SD2495,
2SD2495-O,
2SD2495-P,
2SD2495-Y,
2SD560,
2SD560-KB,
2SD560-LB,
2SD560-MB,
2SD633,
BD649,
BD651,
BD901,
BDT61C,
BDT63B,
BDT63C,
BDT65B,
BDT65C,
BDW23C,
BDW42,
BDW42G,
BDW43,
BDW53C,
BDW53D,
BDW63C,
BDW63D,
BDW73C,
BDW73D,
BDW93C,
BDW93CF,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53C,
BDX53CG,
KSB601,
KSB601-O,
KSB601-R,
KSB601-Y,
KSD560,
KSD560-O,
KSD560-R,
KSD560-Y,
MJF122,
MJF122G,
MJF6388,
MJF6388G,
TIP102,
TIP102G,
TIP122,
TIP122G,
TIP132,
TIP132G,
TIP142T o
TTD1415B.
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