Transistor bipolare BDT60B
Caratteristiche elettriche del transistor BDT60B
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -100 V
- Tensione massima collettore-base: -100 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -4 A
- Dissipazione di potenza: 50 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): 750
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220
Piedinatura del BDT60B
Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.
Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDT60B
È possibile sostituire il BDT60B con i transistor
2N6042,
2N6042G,
2SB1020,
2SB1020A,
2SB1227,
2SB1228,
2SB1252,
2SB1252-P,
2SB1252-Q,
2SB1481,
2SB1626,
2SB1626-O,
2SB1626-P,
2SB1626-Y,
2SB601,
2SB601-K,
2SB601-L,
2SB601-M,
2SB673,
2SB885,
2SB886,
BD650,
BD652,
BD902,
BDT60C,
BDT62B,
BDT62C,
BDT64B,
BDT64C,
BDW24C,
BDW47,
BDW47G,
BDW48,
BDW54C,
BDW54D,
BDW64C,
BDW64D,
BDW74C,
BDW74D,
BDW94C,
BDW94CF,
BDX34C,
BDX34CG,
BDX34D,
BDX54C,
BDX54CG,
MJF127,
MJF127G,
MJF6668,
MJF6668G,
TIP107,
TIP107G,
TIP127,
TIP127G,
TIP137,
TIP137G,
TIP147T o
TTB1020B.
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