Transistor bipolare BDT31C

Caratteristiche elettriche del transistor BDT31C

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 100 V
  • Tensione massima collettore-base: 140 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 3 A
  • Dissipazione di potenza: 40 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 10 a 50
  • Frequenza di transizione: 3 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220

Piedinatura del BDT31C

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDT31C

È possibile sostituire il BDT31C con i transistor MJF31C, MJF31CG, TIP31C, TIP31CF, TIP31CG, TIP31D, TIP31E o TIP31F.
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