Transistor bipolare BDT31B

Caratteristiche elettriche del transistor BDT31B

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 80 V
  • Tensione massima collettore-base: 120 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 3 A
  • Dissipazione di potenza: 40 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 10 a 50
  • Frequenza di transizione: 3 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220

Piedinatura del BDT31B

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDT31B

È possibile sostituire il BDT31B con i transistor BDT31C, MJF31C, MJF31CG, TIP31B, TIP31BG, TIP31C, TIP31CF, TIP31CG, TIP31D, TIP31E o TIP31F.
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