Transistor bipolare BDT30CF

Caratteristiche elettriche del transistor BDT30CF

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -100 V
  • Tensione massima collettore-base: -140 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -1 A
  • Dissipazione di potenza: 19 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 15 a 75
  • Frequenza di transizione: 3 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT30C transistor

Piedinatura del BDT30CF

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDT30CF

È possibile sostituire il BDT30CF con i transistor 2N6475, 2N6476, BD712, BD912, BDT42C, BDT42CF, MJE5170, MJE5171, MJE5172, NTE292, TIP30C, TIP30CG, TIP42C, TIP42CF o TIP42CG.
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