Transistor bipolare BDT29AF

Caratteristiche elettriche del transistor BDT29AF

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 60 V
  • Tensione massima collettore-base: 100 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 1 A
  • Dissipazione di potenza: 19 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 15 a 75
  • Frequenza di transizione: 3 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT29A transistor

Piedinatura del BDT29AF

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDT29AF

È possibile sostituire il BDT29AF con i transistor 2N6473, 2N6474, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, BD707, BD709, BD711, BD907, BD909, BD911, BDT29BF, BDT29CF, BDT41A, BDT41AF, BDT41B, BDT41BF, BDT41C, BDT41CF, MJE5180, TIP29A, TIP29AG, TIP29B, TIP29BG, TIP29C, TIP29CG, TIP41A, TIP41AG, TIP41B, TIP41BG, TIP41C, TIP41CF, TIP41CG, TIP41D o TIP42D.
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