Transistor bipolare BDP956

Caratteristiche elettriche del transistor BDP956

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -120 V
  • Tensione massima collettore-base: -140 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -3 A
  • Dissipazione di potenza: 3 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 40 a 475
  • Frequenza di transizione: 100 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: SOT-223

Piedinatura del BDP956

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.
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