Transistor bipolare BDP951

Caratteristiche elettriche del transistor BDP951

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 80 V
  • Tensione massima collettore-base: 100 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 3 A
  • Dissipazione di potenza: 3 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 40 a 475
  • Frequenza di transizione: 100 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: SOT-223

Piedinatura del BDP951

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDP951

È possibile sostituire il BDP951 con i transistor BDP953 o BDP955.
Se si riscontra un errore, si prega di inviare un'e-mail a mail@el-component.com.