Transistor bipolare BD810

Caratteristiche elettriche del transistor BD810

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -80 V
  • Tensione massima collettore-base: -80 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -10 A
  • Dissipazione di potenza: 90 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): 30
  • Frequenza di transizione: 2 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220

Piedinatura del BD810

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BD810

È possibile sostituire il BD810 con i transistor 2N6668, 2N6668G, 2SA1077, 2SA1329, 2SA1329-O, 2SA1329-Y, 2SA1452, 2SA1452-O, 2SA1452-Y, 2SA1452A, 2SA1452A-O, 2SA1452A-Y, BD546B, BD546C, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW94B, BDW94C, BDW94CF, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, D45H11, D45H11FP, MJF6668, MJF6668G, TIP146T, TIP147T, TTA1452B o TTB1452B.
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