Transistor bipolare BD801

Caratteristiche elettriche del transistor BD801

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 100 V
  • Tensione massima collettore-base: 100 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 8 A
  • Dissipazione di potenza: 65 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): 30
  • Frequenza di transizione: 3 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220

Piedinatura del BD801

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BD801

È possibile sostituire il BD801 con i transistor 2N6045, 2N6045G, 2N6531, 2N6532, 2N6533, 2SC2527, 2SD1196, 2SD1830, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDW93C, BDW93CF, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, MJF6388, MJF6388G, TIP102, TIP102G, TIP132, TIP132G o TIP142T.
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