Transistor bipolare BD789
Caratteristiche elettriche del transistor BD789
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 80 V
- Tensione massima collettore-base: 80 V
- Tensione massima emettitore-base: 6 V
- Corrente di collettore continua: 4 A
- Dissipazione di potenza: 15 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 40 a 250
- Frequenza di transizione: 40 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-126
Piedinatura del BD789
Sostituzione ed equivalenti per il transistor BD789
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