Transistor bipolare BD681

Caratteristiche elettriche del transistor BD681

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 100 V
  • Tensione massima collettore-base: 100 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 4 A
  • Dissipazione di potenza: 40 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): 750
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-126

Piedinatura del BD681

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Equivalent circuit

BD681 equivalent circuit

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BD681

È possibile sostituire il BD681 con i transistor BD681G.

Versione senza piombo

Il transistor BD681G è la versione senza piombo del BD681.
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