Transistor bipolare BD676G

Caratteristiche elettriche del transistor BD676G

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -45 V
  • Tensione massima collettore-base: -45 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -4 A
  • Dissipazione di potenza: 40 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): 750
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-126
  • BD676G 2m è la versione senza piombo del transistor BD676

Piedinatura del BD676G

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BD676G

È possibile sostituire il BD676G con i transistor 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD676, BD676A, BD676AG, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD776, BD778, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703 o MJE703G.
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