Transistor bipolare BD529
Caratteristiche elettriche del transistor BD529
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 100 V
- Tensione massima collettore-base: 100 V
- Tensione massima emettitore-base: 4 V
- Corrente di collettore continua: 2 A
- Dissipazione di potenza: 8 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): 30
- Frequenza di transizione: 150 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-202
Piedinatura del BD529
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