Transistor bipolare BD249B
Caratteristiche elettriche del transistor BD249B
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 80 V
- Tensione massima collettore-base: 90 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 25 A
- Dissipazione di potenza: 125 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): 25
- Frequenza di transizione: 3 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3P
Piedinatura del BD249B
Sostituzione ed equivalenti per il transistor BD249B
Equivalent
- TO-220 package, BD244A: 65 watts
- TO-3P package, BD245: 80 watts
- TO-3P package, BD245C: 80 watts
- TO-3P package, BD246B: 80 watts
- TO-3P package, BD250: 125 watts
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