Transistor bipolare BCW69LT1G
Caratteristiche elettriche del transistor BCW69LT1G
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -45 V
- Tensione massima collettore-base: -50 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -0.1 A
- Dissipazione di potenza: 0.3 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 120 a 260
- Frequenza di transizione: 100 MHz
- Figura di rumore massima: 10 dB
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: SOT-23
- BCW69LT1G 2m è la versione senza piombo del transistor BCW69LT1
Piedinatura del BCW69LT1G
Sostituzione ed equivalenti per il transistor BCW69LT1G
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