Transistor bipolare BC859W

Caratteristiche elettriche del transistor BC859W

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -30 V
  • Tensione massima collettore-base: -30 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -0.1 A
  • Dissipazione di potenza: 0.2 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 110 a 800
  • Frequenza di transizione: 150 MHz
  • Figura di rumore massima: 1 dB
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: SOT-323

Piedinatura del BC859W

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BC859W

È possibile sostituire il BC859W con i transistor BC857W, BC858W o BC860W.
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