Transistor bipolare BC859B
Caratteristiche elettriche del transistor BC859B
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -30 V
- Tensione massima collettore-base: -30 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -0.1 A
- Dissipazione di potenza: 0.25 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 200 a 450
- Frequenza di transizione: 150 MHz
- Figura di rumore massima: 1 dB
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: SOT-23
Piedinatura del BC859B
Sostituzione ed equivalenti per il transistor BC859B
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