Transistor bipolare 2SD877
Caratteristiche elettriche del transistor 2SD877
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 80 V
- Tensione massima collettore-base: 110 V
- Tensione massima emettitore-base: 7 V
- Corrente di collettore continua: 3 A
- Dissipazione di potenza: 25 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 300
- Frequenza di transizione: 3 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-66
Piedinatura del 2SD877
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SD877
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